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对p型金刚石来说，月电原子尺寸较小的硼很容易就能融入金刚石晶格之中，不存在晶体取向问题。而磷掺杂则存在激活能过高、力市露掺入效率低、电导特性差等问题，因此制备的n型掺杂金刚石薄膜的电阻率也达不到制作器件的要求[7]。

金刚石半导体电子器件简介发展金刚石芯片的第一步是组成金刚石逻辑电路的基本单元，场供测信如晶体管和开关等半导体器件的开发。

同时可以用于分离在离子注入衬底上生长的同质外延CVD金刚石膜，需预息披但高能离子的注入会不可避免的在金刚石中产生空位等缺陷，并引入相关离子杂质。无疑，电网这为双方未来的合作打下了坚实的基础。

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